豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET专为手机锂

　　据官方介绍，双N沟道增强型MOSFET，WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻，RSS(ON)低至1m，专为手机锂电池电路保护设计。WNMD2196A采用先进的沟槽技术设计，提供卓越的RSS(ON)的同时实现低栅极电荷。载流子迁移速度快，阙值电压低，开关速率高，可实现更高的效率和更低的温升。

　　了解到，WNM6008——80V高功率MOSFET，采用最新一代Shield Gate技术，针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化，具备超低FOM值(开关应用重要优值系数)。WNM6008适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。可有效赋能太阳能、电源和电池供电(例如电动代步车)等应用。

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