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豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET专为手机锂

发布时间:2022-08-14 04:42:35 来源:bob综合体育苹果 作者:BOB综合体育iso版下载





  据官方介绍,双N沟道增强型MOSFET,WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻,RSS(ON)低至1m,专为手机锂电池电路保护设计。WNMD2196A采用先进的沟槽技术设计,提供卓越的RSS(ON)的同时实现低栅极电荷。载流子迁移速度快,阙值电压低,开关速率高,可实现更高的效率和更低的温升。

  了解到,WNM6008——80V高功率MOSFET,采用最新一代Shield Gate技术,针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化,具备超低FOM值(开关应用重要优值系数)。WNM6008适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。可有效赋能太阳能、电源和电池供电(例如电动代步车)等应用。



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